机械设备-刻蚀设备国产空间广阔

机械设备-刻蚀设备国产空间广阔

刻蚀设备处于半导体产业链上游环节。半导体产业链的上游由为设计、制造和封测环节提供软件及知识产权、硬件设备、原材料等生产资料的核心产业组成。半导体产业链的中游可以分为半导体芯片设计环节、制造环节和封装测试环节。半导体产业链的下游为半导体终端产品以及其衍生的应用、系统等。

常用来代表刻蚀效率的参数主要有:刻蚀速率、刻蚀剖面、刻蚀偏差和选择比等。刻蚀速率指刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度;刻蚀剖面指的是刻蚀图形的侧壁形状,通常分为各向同性和各向异性剖面;刻蚀偏差指的是线宽或关键尺寸间距的变化,通常由横向钻蚀引起;选择比指的是同一刻蚀条件下两种材料刻蚀速率比,高选择比意味着不需要的材料会被刻除。

电子回旋加速震荡(ECR)反应器是最早商用化的高密度等离子体反应器之一,它是 1984 年前后日本日立公司最早研究的,第一次使用是在 20 世纪 80 年代初。它在现代硅片制造中仍然用于 0.25 微米及以下尺寸图形的刻蚀。ECR 反应器的一个关键是磁场平行于反应剂的流动方向,这使自由电子由于磁力作用做螺旋形运动。增加了电子碰撞的可能性,从而产生高密度的等离子体。优点在于能产生高的各向异性刻蚀图形,缺点是设备复杂度较高。


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